МІНІСТЕРСТВО ОСВІТИ І НАУКИ УКРАЇНИ НАЦІОНАЛЬНИЙ УНІВЕРСИТЕТ «ЛЬВІВСЬКА ПОЛІТЕХНІКА» ІКТА Кафедра ЗІ Звіт про виконання лабораторної роботи №6 з курсу: „ Схемотехніка пристроїв технічного захисту інформації, ч.1” на тему: „ МОДЕЛЮВАННЯ ХАРАКТЕРИСТИК І ВИЗНАЧЕННЯ ПАРАМЕТРІВ ПОЛЬОВОГО ТРАНЗИСТОРА ”  Мета роботи - ознайомитися з особливостями роботи польового транзистора, промоделювати стокові та стоково-затворні характеристики, визначити параметри польового транзистора. Порядок виконання роботи: Синтезувати схему, рис.1.а), за допомогою системи схемотехнічного моделювання Micro-Cap8(MC8). Використати джерела постійної напруги Е1=20В і Е2=4В. Зняти вхідну ВАХ IС=f(UЗВ) якщо UСВ=const, вихідну ВАХ IС=f(UСВ) якщо UЗВ =const. Для транзистора J1- 2N3972. Визначити вихідний диференціальний опір, напругу відсікання та крутизну характеристики транзистора включеного у схему рис.1.а). Синтезувати схему, рис.1.б,), за допомогою системи схемотехнічного моделювання Micro-Cap8(MC8). Використати джерела постійної напруги Е1=15В і Е2=5В. Зняти вихідну ВАХ IС=f(UСВ) якщо UЗВ =const. Для транзистора M1- IRF024. Порівняти вихідні характеристики для різних типів транзисторів. / / а) б) Рисунок 4 - Схеми дослідження різних видів польових транзисторів: а) включення транзистора з керувальним р-n–переходом і каналом n-типу зі спільним витоком, б) включення транзистора з ізольованим затвором та індукованим каналом п-типу зі спільним витоком. 1. Дослідження характеристик транзистора 2N3972. Рисунок 2 - Вхідна ВАХ IС=f(UЗВ), якщо UСВ=const Рисунок 3 - Вихідна ВАХ IС=f(UСВ), якщо UЗВ =const 2. Розрахунок параметрів транзистора 2N3972. Диференціальний опір:
Крутизна характеристики:
Напруга відсіку:
3. Дослідження характеристик транзистора IRF024. Рисунок 4 - Вихідна ВАХ IС=f(UСВ), якщо UЗВ =const 4. Порівняння вихідних характеристик для різних типів транзисторів. Висновок Як бачимо вихідні характеристики даних транзисторів на перший погляд однакові, спочатку струм стоку стрімко та майже лінійно збільшується, потім, при досягненні певної напруги стік-витік струм залишається майже сталим до досягнення такого значення при якому настає пробій. Різниця полягає у тому, що для польового транзистора з керувальним p-n переходом при зменшенні напруги затвор-стік буде збільшуватися струм стоку, а в польовому транзисторі з індукованим каналом струм стоку буде збільшуватися при збільшенні даної напруги.